Создание компактных моделей устройств на основе технологии GaN для ВЧ/СВЧ применений
Дата: 6 августа 2020
Время: 15:00 – 16:30
Ссылка на WebEx:
https://keysight.webex.com/keysight/j.php?MTID=mf88c31cc9d4eed6f31d08c806faa5a10
Meeting number (access code): 135 997 2397
Meeting password: FdmUTTdk235
Ссылка станет активна за 15 минут до начала.
Полупроводниковая технология на основе нитрида галлия (GaN) становится всё более популярной для современных приложений систем беспроводной связи и преобразования энергии благодаря своим выдающимся мощностным и частотным характеристикам. Автоматизированный процесс проектирования и моделирования СВЧ малошумящих усилителей и усилителей мощности требует точных моделей транзисторов. Модели ASM-HEMT и MVSG на основе физических параметров устройств, стандартизированные коалицией компактных моделей (CMC) в 2018 году, являются наиболее продвинутым решением в индустрии на сегодняшний день.
На вебинаре специалисты Keysight расскажут о решениях на основе программно-аппаратных комплексов Keysight для полного цикла разработки устройств: от измерений для характеризации и создания компактных моделей устройств в САПР Keysight IC-CAP до применения полученных моделей в САПР Advanced Design System для разработки СВЧ усилителей мощности.
Программа веб-семинара:
-
Введение в IC-CAP
-
Обзор моделей ASM/MVSG
-
Готовые пакеты экстракции CMC моделей в IC-CAP
-
Load-pull анализ в ADS
-
Обзор решений Keysight для измерений (характеризации) полупроводниковых устройств по постоянному току
-
Использование обновленных векторных анализаторов цепей PNA-X для повышения точности измерений в нелинейных режимах»
-
Сессия вопросов и ответов
Докладчики: технические специалисты Keysight – Abby Shih, Сергей Баранчиков, Андрей Крылов, Павел Логинов
Вебинар пройдет на русском и английском языке.